伊利诺大学香槟分校(UniversityofIllinois,Urbana-Champaign)的研究人员据信寻找一种单步骤的室温制程，能以非常简单的遮光罩(shadowmask)较慢为石墨烯电路制图，并将其移往至软性基板上。　　利用化学气相沉积法(CVD)，很更容易就能在铜箔上生长石墨烯，但是，工程师们却仍然求助于去找将近非常简单的方式转印所需的电路图案并将其移往至非金属基板。如今，伊利诺大学香槟分校(UniversityofIllinois,Urbana-Champaign)的研究人员据信寻找一种单步骤的室温制程，能以非常简单的遮光罩(shadowmask)较慢为石墨烯电路制图，并将其移往至软性基板上。

　　多年来，工程师早已告诉石墨烯十分更容易以CVD在铜箔上沉积构成，然而，研究人员认为，他们仍得花费许多时间在矽基板上生长石墨烯，才能用传统技术为电路制图。以无聚合物单步骤制程在软性基板上生产图案化石墨烯的示意图　　这种室温方法代替了在铜箔上生长石墨烯的方法，改为其所声称的单步骤(one-step)制程转印与移往石墨烯电路至完全各种基板上，甚至还包括未来的软性聚合物基板。

其诀窍在于切割电路图案至一种更加非常简单的遮光罩上。　　研究人员再行以电脑辅助设计(CAD)软体设计出所须要的微型图案，让商用雷射切割机相连至电脑适当地生产出有遮光罩，伊利诺伊大学香槟分校博士候选人KeongYong回应，这些较慢的设计反覆周期与拷贝图案，则由较慢运转的雷射切割器展开生产，并为低成本聚合物与金属片制图。KeongYong目前是在该校教授SungWooNam主导的研究团队展开这项研究。　　一旦切割成已完成，遮光罩被摆放在以CVD沉积石墨烯的铜箔上，然后用氧等离子展开转印。

接着再行用层压制程将图案化的石墨烯重制到软性基板上，以保证共形认识，以便转印掉铜箔。　　由于这种途径更容易构建，让我们的方法不必须简单的传统微生产制程以及聚合物支架，大幅度增加整体生产步骤与时间。Yong说道：更加最重要的是，我们所使用的无聚合物途径还带给了更加洁净的石墨烯。　　目前，以这种方法生产石墨烯晶片时，并没尺寸上的容许，但仍受限于遮光罩的转印精密度。

为了构建原始的矽处置，这种遮光罩制程还有很长的路要回头，它被容许在今日的微米级电路，而非奈米级范围。具备先进设备微米级特性的各种模板光罩(的中央)，以及重制至软性Kapton薄膜的适当石墨烯阵列图案(下分列)　　我们已可证明这种非常简单途径的能力了，它可实现具备有所不同尺寸的各种石墨烯阵列图案，还包括较低至50微米的线条、字母与圆形等，Yong回应。　　Yong回应，接下来，研究人员的目标在于增大其遮光罩，以便打确实的元件，从而证实石墨烯的工作电路的确能在花几千美元配有的实验室中生产，而不必须用于目前耗资数十亿美元的设备。

　　为这项研究带给贡献者还包括博士后研究员PilgyuKang以及目前供职于英特尔的AliAshraf。

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